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技術(shù)文章
TECHNICAL ARTICLES熱壓爐是將真空/氣氛、熱壓成型、高溫?zé)Y(jié)結(jié)合在一起，主要用于粉末陶瓷材料和粉末燒結(jié)材料在真空（或保護(hù)氣氛）狀態(tài)下的高溫?zé)Y(jié)和熱壓處理，也可用于其他金屬或非金屬材料在真空（或保護(hù)氣氛）狀態(tài)下的高溫?zé)Y(jié)和熱壓處理。熱壓爐的結(jié)構(gòu)詳細(xì)說(shuō)明：1、爐體部分：立式爐殼其內(nèi)層為不銹鋼制成的園筒外層為碳鋼。兩層之間形成夾套可以通冷卻水將傳到爐殼上的熱量帶走，使?fàn)t壁溫度不超過60℃，其上下法蘭焊接為一個(gè)整體。中間開有紅外測(cè)溫孔，熱電偶測(cè)溫孔、抽氣孔及觀察孔，鉑銠熱電偶有到溫自動(dòng)退出裝置，紅外測(cè)溫...
箱式可控氣氛爐的種類很多，有周期式和連續(xù)式兩種。周期爐：有井式爐和密封箱式爐（又稱多用爐），適用于多品種小批量生產(chǎn)，可用于光亮淬火、光亮退火、滲碳、碳氮共滲等熱處理。連續(xù)爐：有推桿式、轉(zhuǎn)底式及各種形式的連續(xù)式可控氣氛滲碳生產(chǎn)線等，適用于大批量生產(chǎn)，可以進(jìn)行光亮淬火、回火、滲碳及碳氮共滲等熱處理。本設(shè)備具備的安全措施：1、設(shè)備爐溫低于750℃時(shí)，可燃?xì)怆姶砰y自動(dòng)鎖死，不能打開;爐溫高于750℃時(shí)，可燃?xì)怆姶砰y才能打開向爐內(nèi)供氣;爐溫低于750℃時(shí)，氮?dú)怆姶砰y自動(dòng)打開，向爐內(nèi)通入...
箱式可控氣氛爐殼體采用優(yōu)質(zhì)碳鋼焊接，外形美觀大方，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)先進(jìn)合理，智能溫度控制儀，備標(biāo)準(zhǔn)PID、人工智能調(diào)節(jié)APID或MPT等多種調(diào)方式，具有自整定、自學(xué)習(xí)功能，無(wú)超調(diào)及無(wú)欠調(diào)的優(yōu)良控制特，具備30段程序控制功能，可實(shí)現(xiàn)任意斜率的升、降溫控制，具有跳轉(zhuǎn)循環(huán)）、運(yùn)行、暫停及停止等可編程/可操作命令，并允許在程序的控制運(yùn)行中隨時(shí)修改程序；采用具備曲線擬合功能的人工智能調(diào)節(jié)算法，能獲得光滑平順的曲線控制效果；爐膛采用多晶莫來(lái)石維材料，真空氣氛爐保溫節(jié)能。箱式可控氣氛爐廣泛用于高等...
金屬基復(fù)合材料（MetalMatrixcomposites,MMCs）主要是指以金屬、合金為基體材料，以纖維、晶須、顆粒等高強(qiáng)度材料作為增強(qiáng)體，制備而成的一種復(fù)合材料。MMCs的常用的制備方法有：粉末冶金法、原位生成復(fù)合法、噴射成形法、鑄造凝固成型法等。按照不同增強(qiáng)相可以分為連續(xù)纖維增強(qiáng)（主要有碳及石墨纖維、碳化硅纖維、硼纖維、氧化鋁纖維、不銹鋼絲和鎢絲）、非連續(xù)纖維增強(qiáng)（包括碳化硅、氧化鋁、碳化硼等顆粒增強(qiáng)，碳化硅、氧化鋁、等晶須增強(qiáng)，氧化鋁纖維等短纖維增強(qiáng)）和疊層復(fù)合三類...
隨著電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，電子產(chǎn)品正在向著質(zhì)量輕、厚度薄、體積小、功耗低、功能復(fù)雜、可靠性高這一方向發(fā)展。這就要求功率模塊在瞬態(tài)和穩(wěn)態(tài)情況下都要有良好的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能以及可靠性。功率模塊的體積縮小會(huì)引起模塊和芯片電流、接線端電壓以及輸入功率的增大，從而增加了熱能的散失，由此帶來(lái)了一些了問題如溫度漂移等，會(huì)嚴(yán)重影響功率器件的可靠性，加速器件的老化。為了解決高溫大功率器件所面臨的問題，近年來(lái)，納米銀燒結(jié)技術(shù)受到了越來(lái)越多研究者的關(guān)注。圖1蘋果手機(jī)主板上的器件集成度越來(lái)越高低溫?zé)Y(jié)互連技術(shù)...
碳化硅SiC晶體生長(zhǎng)較常見，較成熟的方法仍然是物理氣相輸運(yùn)法（PVT），該方法是一種氣相生長(zhǎng)方法，生長(zhǎng)溫度高，對(duì)原材料以及工藝參數(shù)等都有很高的要求。近年來(lái)，國(guó)內(nèi)外對(duì)PVT工藝的開發(fā)投入了大量的時(shí)間和精力，SiC晶體的質(zhì)量和尺寸等方面有了很大的突破和提高，但是晶體中仍然存在組織缺陷和微觀應(yīng)力。組織缺陷的存在會(huì)惡化SiC基器件的性能，從而影響器件的應(yīng)用，而應(yīng)力的存在則會(huì)使得SiC晶體在加工階段容易碎裂，從而降低SiC晶片的成品率。因此，降低SiC晶體中存在的組織缺陷和微觀應(yīng)力就顯...
真空氣氛燒結(jié)爐用于特種陶瓷，精密陶瓷，熒光粉，發(fā)光粉，粉末冶金，鋰電池材料等，無(wú)機(jī)材料的燒結(jié)，高溫?zé)Y(jié)爐廣泛應(yīng)用于1050度以下電子產(chǎn)品在保護(hù)氣氛或空氣中的預(yù)燒、燒成或熱處理工藝，包括導(dǎo)體漿料、電阻漿料及介質(zhì)等厚膜電路，電阻、電容、電感等電子元件的端頭燒銀、燒成，電路管殼、晶振等元件的玻璃緣子封裝等。燒結(jié)爐在鋼鐵行業(yè)、冶金行業(yè)、電子行業(yè)等都有廣泛應(yīng)用。燒結(jié)爐主要用于陶瓷粉體、陶瓷插芯和其他氧化鋯陶瓷的燒結(jié)，金剛石鋸片的燒結(jié)，也可用于銅材，鋼帶退火等熱處理。也用于金屬粉末在保護(hù)...
碳化硅SiC是一種由硅﹙Si﹚與碳﹙C﹚以共價(jià)鍵為主結(jié)合而成的化合物，其基本單元為Si-C四面體，其中Si原子位于中心，周圍為C原子。SiC所有的結(jié)構(gòu)均由Si-C四面體以不同的堆積方式構(gòu)成。目前已發(fā)現(xiàn)的碳化硅同質(zhì)異型晶體結(jié)構(gòu)有200多種，其中六方結(jié)構(gòu)的4H型SiC（4H-SiC）具有高臨界擊穿電場(chǎng)、高電子遷移率的優(yōu)勢(shì)，是制造高壓、高溫、抗輻照功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)良半導(dǎo)體材料，也是目前綜合性能好、商品化程度高、技術(shù)成熟的第三代半導(dǎo)體材料，它具有：（1）臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度是硅材料近1...
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